


當(dāng)前位置:首頁(yè) >> 技術(shù)服務(wù) >> 技術(shù)文章

根據(jù)我的經(jīng)驗(yàn),電池爆炸原因有三:
一、電池本身原因。由于電池內(nèi)部缺失,電池本身在不充電、不放電的情況下爆炸。在這種情況下,我們能做的選擇較好的電芯,如聚合物。
二、電芯長(zhǎng)期過(guò)充。A、可能充電電壓確實(shí)太高,充電時(shí)電壓大于4.3V:B、二者電芯本身容許最高電壓小于4.2V,我估計(jì)前者可能性很高。采取的對(duì)策包括保護(hù)IC過(guò)充電壓取4.30V。雖然一般電芯容許最高電壓為4.35V,我們還是要考慮離散性,這包括電芯的離散性及保護(hù)IC過(guò)壓值的離散性,并且留有裕量。我之所以選擇精工保護(hù)IC,是由于它的過(guò)壓保護(hù)值精度高,且可供選擇范圍寬(4.2-4.4)。同時(shí)充電電路要嚴(yán)格校正,確保最大值不超4.25V。
三、短路。我個(gè)人估計(jì)這種可能性少,一者有保護(hù)電路(除了保護(hù)電路外還可串聯(lián)類似PTC的保護(hù)元件)。我自已就有過(guò)短路經(jīng)驗(yàn),但并未爆炸,況且短路時(shí)電流流過(guò)PCB走線,會(huì)燒掉PCB走線,既使如此。我贊成采取如下方法改善A、選擇較好的保護(hù)IC。(精工保護(hù)IC有過(guò)流及短路雙重保護(hù)功能)B、選擇很好的MOSFET,如IR,東芝,NEC。C、嚴(yán)格生產(chǎn)流程,杜絕可能短路,對(duì)電芯造成潛在損害,生產(chǎn)中如短路過(guò),則將電芯廢棄掉。D、要嚴(yán)格進(jìn)行過(guò)流測(cè)試。
(2008-1-28 11:53:11)
一、電池本身原因。由于電池內(nèi)部缺失,電池本身在不充電、不放電的情況下爆炸。在這種情況下,我們能做的選擇較好的電芯,如聚合物。
二、電芯長(zhǎng)期過(guò)充。A、可能充電電壓確實(shí)太高,充電時(shí)電壓大于4.3V:B、二者電芯本身容許最高電壓小于4.2V,我估計(jì)前者可能性很高。采取的對(duì)策包括保護(hù)IC過(guò)充電壓取4.30V。雖然一般電芯容許最高電壓為4.35V,我們還是要考慮離散性,這包括電芯的離散性及保護(hù)IC過(guò)壓值的離散性,并且留有裕量。我之所以選擇精工保護(hù)IC,是由于它的過(guò)壓保護(hù)值精度高,且可供選擇范圍寬(4.2-4.4)。同時(shí)充電電路要嚴(yán)格校正,確保最大值不超4.25V。
三、短路。我個(gè)人估計(jì)這種可能性少,一者有保護(hù)電路(除了保護(hù)電路外還可串聯(lián)類似PTC的保護(hù)元件)。我自已就有過(guò)短路經(jīng)驗(yàn),但并未爆炸,況且短路時(shí)電流流過(guò)PCB走線,會(huì)燒掉PCB走線,既使如此。我贊成采取如下方法改善A、選擇較好的保護(hù)IC。(精工保護(hù)IC有過(guò)流及短路雙重保護(hù)功能)B、選擇很好的MOSFET,如IR,東芝,NEC。C、嚴(yán)格生產(chǎn)流程,杜絕可能短路,對(duì)電芯造成潛在損害,生產(chǎn)中如短路過(guò),則將電芯廢棄掉。D、要嚴(yán)格進(jìn)行過(guò)流測(cè)試。
(2008-1-28 11:53:11)
本文來(lái)源于:華太電子技術(shù)中心 |